現在の電気、電子機器に使用されている半導体素子（トランジスタ、CPU、IGBT等）は、動作中に冷却を行わないと素子から発生する熱のため素子そのものを破壊する場合があります。ヒートシンクとは、この熱をすばやく移動させ冷却することにより素子の破壊を防ぐ電子部品のラジエーターです。その多くは発熱素子を取り付けるベース板と、ベース板からの熱を放熱させるフィンから構成されております。冷却方法は、発生する熱により生じる空気の対流を利用した自然冷却と、ファンにより空気を強制的に対流させたり、水などの冷却媒体を用いる強制冷却に分類されます。
	ヒートシンクの性能は熱抵抗値（℃／W）により決定され、この値が小いほど冷却能力が優れたヒートシンクということができます。ヒートシンクの熱抵抗値は以下の式により導かれます。
	熱抵抗値（℃／W）： Hr＝（T1-T2）／Q T1-T2＝△T T1 ： 半導体素子温度℃ T2 ： 周囲温度℃ Q ： 半導体より発生した熱量Ｗ △T ： 温度上昇値℃
	注意：カタログにおける熱抵抗値測定のT1位置は、当社規定の測定位置です。
	熱抵抗値 Hr（℃／W） ：ヒートシンクの性能をあらわす単位 消費電力Q（W） ：半導体素子に流れる電流や 　スイッチイングロスにより生じる熱に消費される電力。 周囲温度T2（℃） ：測定環境温度 温度上昇値 △T（℃） ：ヒートシンクの上昇温度 風速F（m/s） ：ファンから送り出されヒートシンク内を通過時の風の速度 過渡熱抵抗特性 ：指定加熱電力における測定対象ヒートシンクの飽和熱抵抗値 電力対温度上昇特性 ：加熱電力に対する温度上昇値（加熱電力に対する飽和熱抵抗値の変化） 強制対流特性 ：強制冷却ヒートシンクにおける 　冷却流体速度に対する熱抵抗値及び圧力損失